maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EPC2101ENGRT
Référence fabricant | EPC2101ENGRT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EPC2101ENGRT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eGaN® |
EPC2101ENGRT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2101ENGRT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EPC2101ENGRT-FT |
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3
Intel
EP4CE15F23C6
Intel
XC5VFX70T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
10AX115N3F45E2SG
Intel
EP3SE50F780C4N
Intel