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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1

Name: DF11MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF11MR12W1M1B11BOMA1
Price: 107.488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (705 reviews)

Numéro de pièce MFG: DF11MR12W1M1B11BOMA1

quantité disponible: 42430 Pièces

Prix de référence: USD 107.488

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 50A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Numéro de pièce future	FT-DF11MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolSiC™
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 800V
Puissance - Max	20mW
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DF11MR12W1M1B11BOMA1-FT

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