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Microsemi Corporation APTMC120AM55CT1AG

Numéro de pièce MFG
APTMC120AM55CT1AG
quantité disponible
53380 Pièces
Prix de référence
USD 150.536
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTMC120AM55CT1AG.pdf
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APTMC120AM55CT1AG Caractéristiques

Référence fabricant APTMC120AM55CT1AG
Numéro de pièce future FT-APTMC120AM55CT1AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTMC120AM55CT1AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
Puissance - Max 250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP1
Package d'appareils du fournisseur SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120AM55CT1AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTMC120AM55CT1AG-FT

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