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Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001

Numéro de pièce MFG
BSM300D12P2E001
quantité disponible
63270 Pièces
Prix de référence
USD 537.096
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSM300D12P2E001.pdf
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BSM300D12P2E001 Caractéristiques

Référence fabricant BSM300D12P2E001
Numéro de pièce future FT-BSM300D12P2E001
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BSM300D12P2E001 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Puissance - Max 1875W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM300D12P2E001 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSM300D12P2E001-FT

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