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Vishay Siliconix SIZ328DT-T1-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SIZ328DT-T1-GE3
- quantité disponible
- 70990 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.32544
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIZ328DT-T1-GE3.pdf
SIZ328DT-T1-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIZ328DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIZ328DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® Gen IV |
| SIZ328DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V |
| Puissance - Max | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-Power33 (3x3) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZ328DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIZ328DT-T1-GE3-FT |
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