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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL

Numéro de pièce MFG
ALD114913SAL
quantité disponible
72870 Pièces
Prix de référence
USD 3.2
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Date d'expédition
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fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
Brève description
EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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ALD114913SAL Caractéristiques

Référence fabricant ALD114913SAL
Numéro de pièce future FT-ALD114913SAL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries EPAD®
ALD114913SAL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET Depletion Mode
Drain à la tension source (Vdss) 10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD114913SAL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ALD114913SAL-FT

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