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Référence fabricant | SIZ350DT-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIZ350DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen IV |
SIZ350DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-Power33 (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ350DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIZ350DT-T1-GE3-FT |
ALD114935SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD212900ASAL
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ALD212900SAL
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ALD212902SAL
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ALD212904SAL
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ALD212908ASAL
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ALD212908SAL
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ALD212914SAL
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ALD114904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1116PAL
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A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel