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Vishay Siliconix SIZ320DT-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SIZ320DT-T1-GE3
quantité disponible
98980 Pièces
Prix de référence
USD 0.304968
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
PowerPAIR®, TrenchFET® MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIZ320DT-T1-GE3.pdf
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SIZ320DT-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIZ320DT-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SIZ320DT-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerPAIR®, TrenchFET®
SIZ320DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Puissance - Max 16.7W, 31W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-Power33 (3x3)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ320DT-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIZ320DT-T1-GE3-FT

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