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Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

Name: BSM120D12P2C005
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM120D12P2C005
Price: 298.632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (317 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSM120D12P2C005

quantité disponible: 95030 Pièces

Prix de référence: USD 298.632

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSM120D12P2C005.pdf

BSM120D12P2C005 Caractéristiques

Référence fabricant	BSM120D12P2C005
Numéro de pièce future	FT-BSM120D12P2C005
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BSM120D12P2C005 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 22mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 10V
Puissance - Max	780W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM120D12P2C005 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSM120D12P2C005-FT

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