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Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3

Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3
Price: 0.47232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (160 reviews)

Numéro de pièce MFG: SQJ262EP-T1_GE3

quantité disponible: 16980 Pièces

Prix de référence: USD 0.47232

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SQJ262EP-T1_GE3.pdf

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SQJ262EP-T1_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SQJ262EP-T1_GE3
Numéro de pièce future	FT-SQJ262EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ262EP-T1_GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Puissance - Max	27W (Tc), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ262EP-T1_GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SQJ262EP-T1_GE3-FT

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