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Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101

Name: BSM180D12P2C101
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P2C101
Price: 332.16 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (452 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSM180D12P2C101

quantité disponible: 90850 Pièces

Prix de référence: USD 332.16

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSM180D12P2C101.pdf

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BSM180D12P2C101 Caractéristiques

Référence fabricant	BSM180D12P2C101
Numéro de pièce future	FT-BSM180D12P2C101
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BSM180D12P2C101 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 10V
Puissance - Max	1130W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180D12P2C101 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSM180D12P2C101-FT

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