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Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG
- Numéro de pièce MFG
- APTMC60TL11CT3AG
- quantité disponible
- 62770 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Microsemi Corporation
- Brève description
- - MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- APTMC60TL11CT3AG.pdf
APTMC60TL11CT3AG Caractéristiques
| Référence fabricant | APTMC60TL11CT3AG |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-APTMC60TL11CT3AG |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| APTMC60TL11CT3AG Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Puissance - Max | 125W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | SP3 |
| Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTMC60TL11CT3AG Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | APTMC60TL11CT3AG-FT |
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