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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Numéro de pièce MFG
IPG20N10S4L35ATMA1
quantité disponible
52200 Pièces
Prix de référence
USD 0.377808
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
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IPG20N10S4L35ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPG20N10S4L35ATMA1
Numéro de pièce future FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 16µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1105pF @ 25V
Puissance - Max 43W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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