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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1
Price: 0.377808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (602 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPG20N10S4L35ATMA1

quantité disponible: 52200 Pièces

Prix de référence: USD 0.377808

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

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IPG20N10S4L35ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPG20N10S4L35ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
Puissance - Max	43W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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