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Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

Name: BSC072N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC072N03LDGATMA1
Price: 0.465704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC072N03LDGATMA1

quantité disponible: 66840 Pièces

Prix de référence: USD 0.465704

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC072N03LDGATMA1.pdf

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BSC072N03LDGATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSC072N03LDGATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSC072N03LDGATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC072N03LDGATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Puissance - Max	57W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC072N03LDGATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC072N03LDGATMA1-FT

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