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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1

Numéro de pièce MFG
DF11MR12W1M1B11BPSA1
quantité disponible
67730 Pièces
Prix de référence
USD 107.488
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolSiC™ MOSFET MOD 1200V 50A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DF11MR12W1M1B11BPSA1.pdf
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DF11MR12W1M1B11BPSA1 Caractéristiques

Référence fabricant DF11MR12W1M1B11BPSA1
Numéro de pièce future FT-DF11MR12W1M1B11BPSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolSiC™
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3680pF @ 800V
Puissance - Max 20mW
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur AG-EASY1BM-2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DF11MR12W1M1B11BPSA1-FT

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