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Référence fabricant | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
Puissance - Max | 20mW |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | AG-EASY1BM-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF11MR12W1M1B11BPSA1-FT |
APTM50TAM65FPG
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