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Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1

Name: BSC750N10NDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC750N10NDGATMA1
Price: 0.503272 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (601 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC750N10NDGATMA1

quantité disponible: 56720 Pièces

Prix de référence: USD 0.503272

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC750N10NDGATMA1.pdf

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BSC750N10NDGATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSC750N10NDGATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSC750N10NDGATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC750N10NDGATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 12µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 50V
Puissance - Max	26W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC750N10NDGATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC750N10NDGATMA1-FT

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