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FF23MR12W1M1B11BOMA1 Image

Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1

Numéro de pièce MFG
FF23MR12W1M1B11BOMA1
quantité disponible
21910 Pièces
Prix de référence
USD 77.928
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolSiC™ MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 Caractéristiques

Référence fabricant FF23MR12W1M1B11BOMA1
Numéro de pièce future FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolSiC™
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V
Puissance - Max 20mW
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT

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