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Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Numéro de pièce MFG
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- quantité disponible
- 21910 Pièces
- Prix de référence
- USD 77.928
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- CoolSiC™ MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | CoolSiC™ |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Puissance - Max | 20mW |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | Module |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
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