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EPC2100 Image

EPC EPC2100

Numéro de pièce MFG
EPC2100
quantité disponible
14560 Pièces
Prix de référence
USD 3.7696
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EPC2100.pdf
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EPC2100 Caractéristiques

Référence fabricant EPC2100
Numéro de pièce future FT-EPC2100
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC2100 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC2100-FT

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