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Référence fabricant | IPG20N10S4L22ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPG20N10S4L22ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N10S4L22ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1755pF @ 25V |
Puissance - Max | 60W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N10S4L22ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPG20N10S4L22ATMA1-FT |
APTC60TAM35PG
Microsemi Corporation
APTC60TDUM35PG
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APTC80TA15PG
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APTC80TDU15PG
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APTM08TAM04PG
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APTM100TA35FPG
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APTM10TAM09FPG
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APTM10TAM19FPG
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APTM20TAM16FPG
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APTM50TAM65FPG
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A3PE3000-1FGG484I
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M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
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5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
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Intel