maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M24C64-DRMN3TP/K
Référence fabricant | M24C64-DRMN3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M24C64-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M24C64-DRMN3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C64-DRMN3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24C64-DRMN3TP/K-FT |
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
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TC58BYG0S3HBAI6
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70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc