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Référence fabricant | TH58NYG3S0HBAI6 |
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Numéro de pièce future | FT-TH58NYG3S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TH58NYG3S0HBAI6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 67-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NYG3S0HBAI6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TH58NYG3S0HBAI6-FT |
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
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W25Q64FVTCIP
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W25Q64FVTCJQ
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W25Q64FVTCJQ TR
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W978H6KBVX2E
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
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W979H2KBVX2I
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W97AH6KBVX2I
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EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
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LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel