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Référence fabricant | W978H6KBVX2E |
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Numéro de pièce future | FT-W978H6KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W978H6KBVX2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W978H6KBVX2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W978H6KBVX2E-FT |
W25Q32JVTBIQ
Winbond Electronics
W25Q32JVTBIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128BVBJG
Winbond Electronics
W25Q128BVBJG TR
Winbond Electronics
W25Q128BVBJP
Winbond Electronics
W25Q128BVBJP TR
Winbond Electronics
W25Q128FVBIG
Winbond Electronics
W25Q128FVBIP
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ TR
Winbond Electronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel