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Référence fabricant | TC58CYG0S3HQAIE |
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Numéro de pièce future | FT-TC58CYG0S3HQAIE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC58CYG0S3HQAIE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 155µs |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58CYG0S3HQAIE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58CYG0S3HQAIE-FT |
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
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W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2I
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2I
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel