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Référence fabricant | TC58BYG2S0HBAI6 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58BYG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TC58BYG2S0HBAI6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 67-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG2S0HBAI6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58BYG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
Winbond Electronics
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel