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Référence fabricant | TC58BYG0S3HBAI6 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58BYG0S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TC58BYG0S3HBAI6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 67-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG0S3HBAI6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58BYG0S3HBAI6-FT |
W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF
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W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
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W25Q32FVTCJQ TR
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W25Q64FVTCIF
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W25Q64FVTCIG
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W25Q64FVTCIP
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W25Q64FVTCJQ
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W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel