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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

Numéro de pièce MFG
TH58BYG2S3HBAI6
quantité disponible
27830 Pièces
Prix de référence
USD 4.928
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
Brève description
Benand™ IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TH58BYG2S3HBAI6.pdf
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TH58BYG2S3HBAI6 Caractéristiques

Référence fabricant TH58BYG2S3HBAI6
Numéro de pièce future FT-TH58BYG2S3HBAI6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Benand™
TH58BYG2S3HBAI6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 67-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur 67-VFBGA (6.5x8)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TH58BYG2S3HBAI6-FT

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