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Référence fabricant | TC58NYG0S3HBAI6 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58NYG0S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC58NYG0S3HBAI6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 67-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG0S3HBAI6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58NYG0S3HBAI6-FT |
W25Q32FVTCIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP
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W25Q32FVTCIP TR
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W25Q32FVTCJF
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W25Q32FVTCJF TR
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W25Q32FVTCJQ
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W25Q32FVTCJQ TR
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W25Q64FVTCIF
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W25Q64FVTCIG
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W25Q64FVTCIP
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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LFXP3E-4Q208I
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EP3SE110F780C2N
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