maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-2825-BLKG
Référence fabricant | HSMS-2825-BLKG |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-2825-BLKG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-2825-BLKG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2825-BLKG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-2825-BLKG-FT |
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
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BAT1502LRHE6327XTSA1
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BAT6202LE6327XTMA1
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BAT 62-09S E6327
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BAT 68-08S E6327
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BAR8802VH6327XTSA1
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BAR6302VH6327XTSA1
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BA89202VH6127XTSA1
Infineon Technologies
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation