maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR9002LRHE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR9002LRHE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR9002LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR9002LRHE6327XTSA1-FT |
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F23I8L
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2N
Intel
A54SX32A-TQG100I
Microsemi Corporation
EP1C4F324I7N
Intel