maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR9002LRHE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR9002LRHE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR9002LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR9002LRHE6327XTSA1-FT |
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
XC6SLX150T-3FGG900I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
XC6SLX45-N3CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
10AX115R4F40E3LG
Intel