maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT18,235
Référence fabricant | BAT18,235 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT18,235 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT18,235 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 700 mOhm @ 5mA, 200MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT18,235 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT18,235-FT |
MMBD452LT1G
ON Semiconductor
MMBD354LT1G
ON Semiconductor
MMBD353LT1G
ON Semiconductor
SMMBD701LT1G
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NSVMMBD354LT1G
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MMBD701LT1G
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MMBD301LT1G
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1SS351-TB-E
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MMBD352LT1G
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1SV267-TB-E
ON Semiconductor
LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
APA150-TQG100A
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29I3
Intel