maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP64-05,215
Référence fabricant | BAP64-05,215 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP64-05,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP64-05,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Common Cathode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 175V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP64-05,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP64-05,215-FT |
MMBD301M3T5G
ON Semiconductor
MMBD101LT1G
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MMBD301LT3G
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MMBD353LT1G
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SMMBD701LT1G
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MMBD701LT1G
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LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1FGG484I
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A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
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10AX048K4F35E3SG
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
APA150-TQG100A
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M1A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29I3
Intel