maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT 62-09S E6327
Référence fabricant | BAT 62-09S E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT 62-09S E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT 62-09S E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 40V |
Courant - Max | 20mA |
Capacité @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 62-09S E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT 62-09S E6327-FT |
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
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Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
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EP20K300EBC652-2X
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EP1C12F324C7N
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5SGSMD4H2F35C2L
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