maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT 68-08S E6327
Référence fabricant | BAT 68-08S E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAT 68-08S E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT 68-08S E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 3 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 8V |
Courant - Max | 130mA |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 68-08S E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT 68-08S E6327-FT |
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
A54SX08-1TQ144
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
A1425A-VQG100C
Microsemi Corporation
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4F23C7N
Intel
10AX066N3F40E2LG
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel