maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA89202VH6127XTSA1
Référence fabricant | BA89202VH6127XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BA89202VH6127XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA89202VH6127XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.1pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 500 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA89202VH6127XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA89202VH6127XTSA1-FT |
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel