maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP64LX/Z,315
Référence fabricant | BAP64LX/Z,315 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP64LX/Z,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAP64LX/Z,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 60V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006D-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP64LX/Z,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP64LX/Z,315-FT |
MMBD352LT1G
ON Semiconductor
1SV267-TB-E
ON Semiconductor
1SV251-TB-E
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1SV233-TB-E
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MMBD353LT1
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MMBV3401LT1
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A1425A-1PQG100I
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XCV800-5FG676C
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A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
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5SGXMA4K3F40C2N
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10AX032H2F35E2SG
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XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
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