maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP63LX,315
Référence fabricant | BAP63LX,315 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP63LX,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP63LX,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 135mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP63LX,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP63LX,315-FT |
1SS351-TB-E
ON Semiconductor
MMBD352LT1G
ON Semiconductor
1SV267-TB-E
ON Semiconductor
1SV251-TB-E
ON Semiconductor
1SV233-TB-E
ON Semiconductor
1SV234-TB-E
ON Semiconductor
MMBD301LT3
ON Semiconductor
MMBD353LT1
ON Semiconductor
MMBD355LT1
ON Semiconductor
MMBD701LT3G
ON Semiconductor
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel