maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT6202LE6327XTMA1
Référence fabricant | BAT6202LE6327XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT6202LE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT6202LE6327XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 40V |
Courant - Max | 20mA |
Capacité @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6202LE6327XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT6202LE6327XTMA1-FT |
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
XC3S50AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C8
Intel
5SGXEB9R1H43C2LN
Intel
XC7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C7
Intel
EPF10K100ARC240-1
Intel