maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR9002ELSE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR9002ELSE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR9002ELSE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSSLP-2-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR9002ELSE6327XTSA1-FT |
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
A54SX08-1TQG144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXMA5K3F40I3N
Intel
EP3SL340H1152C2N
Intel
5CGTFD5C5U19I7N
Intel
10AX115S2F45I1SG
Intel