maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR9002ELSE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR9002ELSE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR9002ELSE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSSLP-2-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELSE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR9002ELSE6327XTSA1-FT |
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
A54SX08-1TQ144
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
A1425A-VQG100C
Microsemi Corporation
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4F23C7N
Intel
10AX066N3F40E2LG
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel