maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EPC2105
Référence fabricant | EPC2105 |
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Numéro de pièce future | FT-EPC2105 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eGaN® |
EPC2105 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EPC2105-FT |
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