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EPC EPC2100ENGRT

Name: EPC2100ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2100ENGRT
Price: 3.7696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (206 reviews)

Numéro de pièce MFG: EPC2100ENGRT

quantité disponible: 57310 Pièces

Prix de référence: USD 3.7696

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: EPC

Brève description: eGaN® GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EPC2100ENGRT.pdf

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EPC2100ENGRT Caractéristiques

Référence fabricant	EPC2100ENGRT
Numéro de pièce future	FT-EPC2100ENGRT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	eGaN®
EPC2100ENGRT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	Die
Package d'appareils du fournisseur	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100ENGRT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EPC2100ENGRT-FT

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