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Diodes Incorporated DMG3N60SJ3

Name: DMG3N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3N60SJ3
Price: 0.501976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (464 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMG3N60SJ3

quantité disponible: 24300 Pièces

Prix de référence: USD 0.501976

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMG3N60SJ3.pdf

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DMG3N60SJ3 Caractéristiques

Référence fabricant	DMG3N60SJ3
Numéro de pièce future	FT-DMG3N60SJ3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
DMG3N60SJ3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-251
Paquet / caisse	TO-251-3, IPak, Short Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3N60SJ3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMG3N60SJ3-FT

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