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Référence fabricant | BSC059N04LS6ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC059N04LS6ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
BSC059N04LS6ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC059N04LS6ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC059N04LS6ATMA1-FT |
APT5014B2VRG
Microsemi Corporation
APT5020BN
Microsemi Corporation
APT5020BNFR
Microsemi Corporation
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
Microsemi Corporation
APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
Microsemi Corporation
APT6030BN
Microsemi Corporation
APT6040BN
Microsemi Corporation
APT6040BNG
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel