maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC027N10NS5ATMA1
Référence fabricant | BSC027N10NS5ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSC027N10NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
BSC027N10NS5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC027N10NS5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC027N10NS5ATMA1-FT |
APT4012BVRG
Microsemi Corporation
APT4016BVRG
Microsemi Corporation
APT4065BNG
Microsemi Corporation
APT5014B2VRG
Microsemi Corporation
APT5020BN
Microsemi Corporation
APT5020BNFR
Microsemi Corporation
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
Microsemi Corporation
APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel