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Référence fabricant | BSC094N06LS5ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC094N06LS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC094N06LS5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 36W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC094N06LS5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC094N06LS5ATMA1-FT |
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
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APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
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APT6030BN
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APT6040BN
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APT6040BNG
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APT70SM70B
Microsemi Corporation
APT70SM70S
Microsemi Corporation
APT8075BN
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel