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Infineon Technologies BSC059N03ST

Name: BSC059N03ST
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC059N03ST
Availability: InStock
Rating: 4.7 (206 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC059N03ST

quantité disponible: 18920 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC059N03ST.pdf

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BSC059N03ST Caractéristiques

Référence fabricant	BSC059N03ST
Numéro de pièce future	FT-BSC059N03ST
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC059N03ST Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Ta), 89A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 35µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2670pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8 Dual
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC059N03ST Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC059N03ST-FT

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