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Référence fabricant | BSC022N04LS6ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC022N04LS6ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
BSC022N04LS6ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC022N04LS6ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC022N04LS6ATMA1-FT |
APT4012BVR
Microsemi Corporation
APT4012BVRG
Microsemi Corporation
APT4016BVRG
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
APT5014B2VRG
Microsemi Corporation
APT5020BN
Microsemi Corporation
APT5020BNFR
Microsemi Corporation
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
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APT5SM170B
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
Intel