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Infineon Technologies BSC0996NSATMA1

Name: BSC0996NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0996NSATMA1
Price: 0.200888 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (208 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC0996NSATMA1

quantité disponible: 41940 Pièces

Prix de référence: USD 0.200888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC0996NSATMA1.pdf

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BSC0996NSATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSC0996NSATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSC0996NSATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC0996NSATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	34V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC0996NSATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC0996NSATMA1-FT

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