maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC0996NSATMA1
Référence fabricant | BSC0996NSATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSC0996NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC0996NSATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 34V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0996NSATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC0996NSATMA1-FT |
APT5025BN
Microsemi Corporation
APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
Microsemi Corporation
APT6030BN
Microsemi Corporation
APT6040BN
Microsemi Corporation
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
Microsemi Corporation
APT70SM70S
Microsemi Corporation
APT8075BN
Microsemi Corporation
APT80SM120B
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel