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Microsemi Corporation APT80SM120B

Name: APT80SM120B
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT80SM120B
Availability: InStock
Rating: 4.5 (254 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT80SM120B

quantité disponible: 29830 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - POWER MOSFET - SIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT80SM120B.pdf

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APT80SM120B Caractéristiques

Référence fabricant	APT80SM120B
Numéro de pièce future	FT-APT80SM120B
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APT80SM120B Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	555W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT80SM120B Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT80SM120B-FT

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