maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-2827-TR1
Référence fabricant | HSMS-2827-TR1 |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-2827-TR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-2827-TR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 1 Bridge |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2827-TR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-2827-TR1-FT |
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT 62-09S E6327
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BAT 68-08S E6327
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BAR8802VH6327XTSA1
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BAT6302VH6327XTSA1
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XC2S100-5FGG256I
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A40MX04-2PLG44
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XC5VLX50-3FF676C
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XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40I2SG
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EP4CGX150DF31C8N
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