maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6502VH6327XTSA1
Référence fabricant | BAR6502VH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6502VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6502VH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6502VH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6502VH6327XTSA1-FT |
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
BAP51-02-TP
Micro Commercial Co
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co